与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上。必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。目前，主要的外延技术是化学气相沉积（CVD），通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压等级的不断提高，碳化硅外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人
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与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上。必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。目前，主要的外延技术是化学气相沉积（CVD），通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压等级的不断提高，碳化硅外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。
制作碳化硅有以下几种步骤：
1)取碳化硅原料，经破碎机中碎，并筛分至不大于5mm的碳化硅颗粒，再用机对其进行至不大于2mm的碳化硅颗粒，且其中椭圆形颗粒占80%以上，再对其进行酸洗除杂，干燥;
想必大家能看到这篇文章，对碳化硅肯定不会陌生的，碳化硅的一些基本用途你们肯定也会知道，今天呢就跟大家说一下关于碳化硅不平常的用途，这可能都鲜有人知道，碳化硅可以与石墨烯做复合材料成为铝基，对于力学上有了重大的突破。还有就是随着陶瓷材料的发展，越来越轻的产品被研发出来，碳化硅的优势不断被研发出来，越来越多的要求被提出来，经过不断地改进，碳化硅具有高强韧，耐高温，长寿命，抗腐蚀，的特点
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