性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不破坏。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后烧
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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品
性能
氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不破坏。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。
氮化硅砖采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取
制取方法
氮化硅砖采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。烧制氮化硅砖的生产工艺与镁质砖大体相仿。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。
优点
氮化硅砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。
应用
用于航空、冶金、机械、半导体等工业中制造高温轴承、冶金坩埚、半导体区域熔炼舟器等。
Si3N4的使用温度一般不超过1300°C
氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下，Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。
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