离子束刻蚀
离子束刻蚀以离子束为刻蚀手段达到刻蚀目的的技术,其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束较小直径约10nm,离子束刻蚀的结构较小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下,较以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀,故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注
聚焦离子束刻蚀机安装

离子束刻蚀
离子束刻蚀以离子束为刻蚀手段达到刻蚀目的的技术,其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束较小直径约10nm,离子束刻蚀的结构较小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下,较以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀,故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入,甚至无显影刻蚀,直接制造各种纳米器件结构。但是,在离子束加工过程中,损伤问题比较突出,且离子束加工精度还不容易控制,控制精度也不够高。
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离子束刻蚀机
加工
离子束刻蚀可达到很高的分辨率,适合刻蚀精细图形。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑,邻近区域不产生应力和损伤能加_工出任意形状的小孔,且孔形状只取决于掩模的孔形。
加工线宽为纳米级的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上,用电子束蒸镀10nm的金一铝(60/40)膜。
首先将样品置于真空系统中,其表面自然形成---种污染抗蚀剂掩模,用电子束曝光显影后形成线宽为8nm的图形,然后用ya离子束刻蚀,离子束流密度为0.1mA/cm, 离子能量是1keV;另一种是在20nm厚的金一钯膜上刻出线宽为8nm的图形、深宽比提高到2.5:10。 由此可见离子束加工可达到很高的精度。
离子束是指以近似一致的速度沿几乎同一方向运动的一群离子。离子源用以获得离子束的装置。在各类离子源中,用得较多的是等离子体离子源,即用电场将离子从一团等离子体中引出来。这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定。属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等。另一类使用较多的离子源是电子碰撞型离子源,主要用于各种质谱仪器中。
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