Diodes 公司是一家在广阔的分立、逻辑和模拟半导体市场上居领xian地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商。
Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖LED 驱动器、AC-DC转换器和控制器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及USB 电
肖特基二极管
Diodes 公司是一家在广阔的分立、逻辑和模拟半导体市场上居领xian地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商。
Diodes的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖LED 驱动器、AC-DC转换器和控制器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及USB 电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。Diodes还提供了信号完整性接口模块、LVDS（低压差分信号技术）器件、晶体振荡器，以及可实现串行连接的各种开关。
晶体二极管的构造分类
肖特基
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。
二极管参数
反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
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