氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长完1美、大尺寸的高质量晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。在这个过程中如何调整控制电流和电压，使冶炼过程能够安全稳定运行，电控系统承担了zui艰巨的任务。
氧化镁(MgO)单晶的熔点高达280
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氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长完1美、大尺寸的高质量晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。在这个过程中如何调整控制电流和电压，使冶炼过程能够安全稳定运行，电控系统承担了zui艰巨的任务。
氧化镁(MgO)单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异,具有广泛的用途:(1)可作为光学透明材料。由于从紫外到红外的宽范围内,光透过率Τ≥80％,可用于普通照相、紫外照相、特殊光学系统、光纤以及特殊机械光学装置;(2)可作为耐高温、高压窗口材料。
氧化镁（MgO）单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。氧化镁单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜zui常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。氧化镁（MgO）是离子化合物，同样也是离子晶体，因为氧化镁是由氧离子和镁离子通过离子键结合成的.。
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