真空设计应考虑节能减排低碳原则
传统的真空设计，对于真空室设计，为了节约加工成本，采用易加工简单的真空室，对抽真空系统设计，经常选用极限真空较高的机械泵、罗茨泵、扩散泵组合系统，但当前从节能减排的低碳要求出发，往往是不合理的，而且用户日后在长期运行中，能耗很大，使应用真空的产品后续成本大为提高。
过去的真空设计较多考虑真空室参数选用，抽气时间计算
实验室镀膜设备
真空设计应考虑节能减排低碳原则
传统的真空设计，对于真空室设计，为了节约加工成本，采用易加工简单的真空室，对抽真空系统设计，经常选用极限真空较高的机械泵、罗茨泵、扩散泵组合系统，但当前从节能减排的低碳要求出发，往往是不合理的，而且用户日后在长期运行中，能耗很大，使应用真空的产品后续成本大为提高。
过去的真空设计较多考虑真空室参数选用，抽气时间计算，真空室容积、抽气速率、漏率、压升率、极限真空、强度计算、真空管道分子流流导计算，真空系统的设计和选用。
当然这些都是需要的，在当时的历史经济背景下，很少考虑节能减排，而在当前的世界经济发展危及地球气候变暖，生态失去平衡，以及能源短缺的背景下，真空设计注重节能减排的低碳原则，同其它用电大户一样，有义不容辞的责任；
固然，这样改进真空设计，一般也可能降低真空设备制造成本，但有时即使设计中贯彻低碳原则，提高了些成本，也应在所不惜，譬如涉及抽气时间的真空室容积选择，不能一开始就选用圆柱形筒状，必须依低碳原则考虑一下其它形状能否更节能。
在现代的加工、焊接技术条件下，需要权衡一下把节能考虑的‘权重’提高。又譬如涉及极限真空的选择，不能一开始就追求选用高的极限真空的指标，极限真空非常高，当然能使背景真空非常洁净，对工艺有利，但不能无节制，常常在不影响工艺的条件下，可以选用极限真空不太高的指标。
真空镀膜过程的对于溅射类镀膜到底多重要？
可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。
溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。
溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较一般。以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。
对于不同的溅射材料和基片，参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精准控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。
真空镀膜机蒸发与磁控溅射镀铝性能
真空镀膜机电子束蒸发与磁控溅射镀铝性能分析研究，为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了真空镀膜设备电子束蒸发与磁控溅射两种方法制备Al膜的特点。
严格控制发Al膜的厚度是十分重要的，因为Al膜的厚度将直接影响Al膜的其它性能，从而影响半导体器件的可靠性。对于高反压功率管来说，它的工作电压高，电流大，没有一定厚度的金属膜会造成成单位面积Al膜上电流密度过高，易烧毁。对于一般的半导体器件，Al层偏薄，则膜的连续性较差，呈岛状或网状结构，引起压焊引线困难，造成不易压焊或压焊不牢，从而影响成品率;Al层过厚，引起光刻时图形看不清，造成腐蚀困难而且易产生边缘腐蚀和“连条”现象。
采用真空镀膜机电子束蒸发，行星机构在沉积薄膜时均匀转动，各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处，各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用真空镀膜机磁控溅射镀膜方法，由于沉积电流和靶电压可以控制，也即是溅射功率可以调节并控制，因此膜厚的可控性和重复性较好，并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。
附着力反映了Al膜与基片之间的相互作用力，也是保证器件经久的重要因素。真空镀膜设备溅射原子能量比蒸发原子能量高1-2个数量级。真空镀膜机高能量的溅射原子沉积在基片上进行的能量转换比蒸发原子高得多，产生较高的热能，部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层溅射原子与基片原了相互溶合的伪扩散层，而且，在真空镀膜设备成膜过程中基片始终在等离子区中被清洗，清除了附着力不强的溅射原子，净化基片表面，增强了溅射原子与基片的附着力，因而溅射Al膜与基片的附着力较高。
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