各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电
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各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。
的贵金属工业，由于长期处于计划经济体制内，发展比较缓慢，对于金银而言，可以说是历史悠久，源远流长了，但在改革开放前，没有纳入计划渠道的，直至2002年10月30日上海黄金正式开业，才宣告了计划经济时金银管理条例的失效，而铂族金属工业更是起步晚、技术落后，直到改革开放以后，才有了突飞猛进的发展，但与国际上的相比较，依然是落在人家后面，因此在无论是贵金属的投资储备需求，还是实际的应用需求。现应用较普遍的是溶剂萃取法，它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺ITO靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：
热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。此外，使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊，其电阻值与施加的电压有关，存在电阻值不固定的问题。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。
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