TVS器件的选用
电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，这是在特定的1 MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。图7所示为用单向TVS并联于整流管旁侧以保护整流管不被瞬时脉冲击穿。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。对于数据/信号频率越高的回路，二极管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，因此，需要根据回路的特性来
tvs二极管作用
TVS器件的选用
电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，这是在特定的1 MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。图7所示为用单向TVS并联于整流管旁侧以保护整流管不被瞬时脉冲击穿。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。对于数据/信号频率越高的回路，二极管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，因此，需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如LCTVS、低电容TVS，电容不大于3 pF)，而对电容要求不高的回路，电容的容量选择可高于40pF。
TVS 的结构及分类
TVS 瞬态电压抑制器是在稳压二极管的基础上发展而来的，是一种二极管形式的新型gao效能保护器件。
TVS通常采用二极管式的轴向引线封装结构，TVS的核心单元是芯片，芯片主要材料为半导体硅片或晒片，芯片有单极型和双极型两种结构，单极型TVS有一个PN结，双极型TVS有两个PN结。反应速度快，电压抑制能力强，有SMAJ，SMBJ，SMCJ，SMDJ，P4KE，SA，P6KE，1。TVS芯片的PN结经玻璃纯化保护由引线引出，再经改性环氧树脂封装制成。
TVS
（1）TVS具有响应快、功率大、极间电容和体积小、无漏流、应用领域广等优点，可有效地保护TN 电源系统、直流电源、信号线路及晶体管集成电路等，可抑制共模/差模浪涌冲击和ESD/EFT等瞬态浪涌电压的干扰。
（2）电路设计应考虑被保护电路的特性、工作环境及TVS的VC,IPP,VWM,VBR,Ppp等相关参数选择适配的TVS保护器件，TVS接入电路应不影响电路的正常运行，能安全泄放预期瞬态浪涌电流，将危险电压钳位于电路安全耐压值以内。
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