光电探测器选择时要注意：
1、光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配，而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配，使每个相互连接的器件都处于较好的工作状态。
2、光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波段，则选用光电倍增管或专门的紫外光电半导体器件；如果信号是可见光，则可选用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件；如果是红外信
半导体光电探测器厂家
光电探测器选择时要注意：
1、光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配，而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配，使每个相互连接的器件都处于较好的工作状态。
2、光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波段，则选用光电倍增管或专门的紫外光电半导体器件；如果信号是可见光，则可选用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件；如果是红外信号，则选用光敏电阻，近红外选用Si光电器件或光电倍增管。
3、光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必须照到器件的有效位置，如光照位置发生变化，则光电灵敏度将发生变化。
4、光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数。
以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光电探测器的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。
光电探测器的发展历史
60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge：Au(锗掺金)和Ge：Hg光电导探测器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。
当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对，这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率，Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此，本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1。24/Eg(μm)式中c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。
在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得λc=1。24/Ei式中Ei代表杂质能级的离化能。
到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功，并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x=0。2的HG0。8Cd0。2Te材料，可以制成响应波长为8～14微米大气窗口的红外探测器。
光电探测器的应用选择
实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中，可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下，器件的选择极大程度上决定了效果的好坏。光电探测器的性能比较
①光电探测器动态特性(即频率响应与时间响应)方面，以光电倍增管和光电二极管(尤其是PIN管与雪崩管)为较好;
②光电探测器光电特性(即线性)方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为较好;
③光电探测器灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为较好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；
④光电探测器外加偏置电压较低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置;
⑤光电探测器暗电流方面，光电倍增管和光电二极管较小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大;
⑥光电探测器长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为较好，其次是光电倍增管与光电三极管;
⑦光电探测器光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为较宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。
例如，当需要比较大的光敏面积时，可选用真空光电管，因其光谱响应范围比较宽，故真空光电管普遍应用于分光光度计中。当被测辐射信号微弱、要求响应速度较高时，采用光电倍增管较合适，因为其放大倍数可达10^7以上，这样高的增益可使其信号超过输出和放大线路内的噪声分量，使得对光电探测器的限制只剩下光阴极电流中的统计变化。因此，在天文学、光谱学、激光测距和闪烁计数等方面，光电倍增管得到广泛应用。
（作者： 来源：）
