氧化镁(MgO)单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异。氧化镁（MgO）单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
在高温超导领域，氧化镁(
MgO晶体基片公司
氧化镁(MgO)单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异。氧化镁（MgO）单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
在高温超导领域，氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：<100>；光学透过：>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14 300°K。
随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧化镁(MgO)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁(MgO)单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。在高温超导领域，氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。
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