（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
轨道交通用IGBT测试仪现货供应
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1）功能
GBT模块动态参数测试。
*2）测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
2.2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0.1 uC
50～200uC±5%±1 uC
200～1000uC±5%±2 uC
3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns
20～100±5%±1ns
100～500±5%±2ns
500～2000±3%±5ns
4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ
0.5～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～200mJ±5%±1mJ
200～1000mJ±5%±2mJ
测试条件：
1、正向电流IFM：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、-di/dt测量范围：200～10000A/us
3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V
4、dv/dt测量范围：100～10000V/us
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