氟化镁膜也称氟化镁，具有四方晶系结构，熔点为1255摄氏度，热导率0.3W/m·K,折射率1.38，消光系数0。入射光在薄膜的上、下界面反射具有相同的位相变化，若选择薄膜的光学厚度等于入射光波长的四分之一，则相邻两束反射光的位相差恰好是2，所有反射光相叠加的结果可以实现反射相消，因而形成透射增强。非晶态氟化镁薄膜一般可用真空蒸镀或溅射淀积的方法制得。
热压氟化镁的介电常数为5
氟化镁晶体
氟化镁膜也称氟化镁，具有四方晶系结构，熔点为1255摄氏度，热导率0.3W/m·K,折射率1.38，消光系数0。入射光在薄膜的上、下界面反射具有相同的位相变化，若选择薄膜的光学厚度等于入射光波长的四分之一，则相邻两束反射光的位相差恰好是2，所有反射光相叠加的结果可以实现反射相消，因而形成透射增强。非晶态氟化镁薄膜一般可用真空蒸镀或溅射淀积的方法制得。
热压氟化镁的介电常数为5.1，是现有红外窗口和整流罩材料中较低的，其介电正切损耗在0.001左右，能够满足毫米波(微波)对天线罩材料的要求。国内某单位测试结果表明，热压氟化镁的微波透过率(功率传输系数)在百分之八十以上，基本满足微波天线的使用要求，是比较理想的中波红外/微波(毫米波)复合天线罩材料。
氟化镁能增加在熔融状态下就能够导电的化合物的表面张力，这样一来就降低铝的再溶解损失，促进在熔融状态下导电的化合物中碳渣分离，起到有益的作用；所以MgF2间接地起了提高熔融导电化合物的导电性作用，MgF2在这方面的作用比CaF2更大些。氟化镁还能降低熔融导电化合物的熔点。
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