近年来，对铝酸镁(MgAl2O4)晶体用于GaN的外延衬底材料研究较多。由于MgAl2O4晶体具有良好的晶格匹配和热膨胀匹配，与GaN晶格的失配率为9%，具有优良的 热稳定性和化学稳定性，以及良好的机械力学性能等优点，MgAl2O4晶体目前是GaN较为合适的衬底材料之一，已在MgAl2O4基片上成功地外延出高质量的GaN膜，并且已研制成功 蓝光LED和LD。
铝酸镁MgAl2O4晶体
近年来，对铝酸镁(MgAl2O4)晶体用于GaN的外延衬底材料研究较多。由于MgAl2O4晶体具有良好的晶格匹配和热膨胀匹配，与GaN晶格的失配率为9%，具有优良的 热稳定性和化学稳定性，以及良好的机械力学性能等优点，MgAl2O4晶体目前是GaN较为合适的衬底材料之一，已在MgAl2O4基片上成功地外延出高质量的GaN膜，并且已研制成功 蓝光LED和LD。
铝酸镁(MgAl2O4)单晶体是一种高熔点、高硬度的晶体材料。在 10GHz 以上的微波段上，镁铝尖晶石单晶的声衰减比蓝宝石或石英低得多，可作为介质制作微波声体波器件。MgAl2O4晶体目前是GaN较为合适的衬底材料之一，已在MgAl2O4基片上成功地外延出高质量的GaN膜，并且已研制成功 蓝光LED和LD。此外，MgAl2O4衬底zui吸引人之处在于可以通过解理的方法获得激光腔面。
铝酸镁(MgAl2O4)晶体
基本性质:晶向:<100>,<110>,<111>;晶体结构：立方;晶格常数：a=8.083;生长方法：提拉法;熔点：2130℃;密度：3.64g/cm3;莫氏硬度：8 Mohs;热膨胀系数：7.45×10-6/℃;声速：6500m/s ,[100]剪切波;传播损耗（9GHz)：6.5db/us;颜色及外观：白色透明.测试第24段
产品规格:常规晶向：公差：±0.5度;常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm;抛光情况：单抛、双抛；表面粗糙度：Ra<5A（5*5μm范围内）。注：可按客户要求定制方向和尺寸。
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