真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。物理气相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物理气相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。
真空镀膜厂家
真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。物理气相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物理气相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。
真空镀膜的方法很多，计有：
(1)真空蒸镀：将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室，抽空后将膜料加热到高温，使蒸气达到约13.3Pa而使蒸气分子飞到基体表面，凝结而成薄膜。
(2)阴极溅射镀：将需镀膜的基体放在阴极对面，把惰性气体(如)通入已抽空的室内，保持压强约1.33～13.3Pa，然后将阴极接上2000V的直流电源，便激发辉光放电，带正电的离子撞击阴极，使其射出原子，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。
(3)化学气相沉积：通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物，获得沉积薄膜的过程。
(4)离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。表6-9列出了各种镀膜方法的优缺点。
基体资料的外表状况对掩盖才能的影响比较复杂。
一般来说，同一镀液在光洁度高的基体外表上掩盖才能要比其在粗糙外表上的掩盖才能好。因为外表积大，其实在电流密度较低，不易到达金属的分出电位，而仅仅分出很多氢气。别的，若是基体外表镀前处置不良，存在没有除尽的油膜、各种成相膜层或污物等，也将阻碍镀层的堆积而使掩盖才能下降。
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