IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资
轨道交通用IGBT测试仪加工
IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。
2.3栅极电荷技术条件
测试参数：
栅极电荷Qg：20nC～100uC
20nC～100nC±5%，分辨率±1nC
100nC～500nC±5%，分辨率±5nC
500nC～2uC±5%，分辨率±10nC
2uC～10uC±5%，分辨率±50nC
10uC～100uC±5%，分辨率±100nC
测试条件：
1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V
2、集电极电流：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求
2.4短路技术条件
1、Vcc： 200～1000V
200～1000V±3%±2V
2、一次短路电流：20000A
500～1000A±3%±2A
1000A～5000A±2%±5A
5000A～20000A±2%±10A
3、tp：5-30us
2.5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V
500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9.9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2.6 NTC测试技术条件
阻值测量范围：0～20KΩ
（作者： 来源：）
