光电探测器相关内容
红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为好；在光电特性（即线
四光束光电探测器
光电探测器相关内容
红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为，其次是光电倍增管与光电三极管；在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。
光电探测器
探测器需要在某一给定波长范围具有很高的灵敏度。有些情况下，需要灵敏度不变，或者至少在给定波长区域内不变。有时也需要在一些其它波长区域没有响应；例如，日盲探测器，只在很短的紫外光波段是灵敏的，而对于太阳光不敏感。 探测器必须在某一功率范围内工作正常。限制探测器功率的值取决于非线性响应或者损伤问题，而功率则是由噪声决定。动态范围（探测功率与探测功率的比值用分贝表示）也非常重要。有些探测器在动态范围大于70dB时也具有很高的线性响应。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。
光电探测器的性能比较
①光电探测器动态特性(即频率响应与时间响应)方面，以光电倍增管和光电二极管(尤其是PIN管与雪崩管)为较好;
②光电探测器光电特性(即线性)方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为较好;
③光电探测器灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为较好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管;
④光电探测器外加偏置电压较低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置;
⑤光电探测器暗电流方面，光电倍增管和光电二极管较小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大;
⑥光电探测器长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为较好，其次是光电倍增管与光电三极管;
⑦光电探测器光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为较宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。
期望大家在选购光电探测器时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多光电探测器的相关资讯，欢迎拨打图片上的热线电话！！！
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