密度大也使Cu/W具备对室内空间辐射源总使用量(TID)自然环境的屏蔽掉功效,由于要得到一样的屏蔽掉功效,应用的铝薄厚必须是Cu/W的16倍。铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC),电阻率1.72μΩ·cm,仅次于银。新式的金属封装材料以及运用除开Cu/W及Cu/Mo之外,传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金,他们常有一些不够,无法解决当代封裝的发展趋势。许多密度低、的
to金属封装外壳
密度大也使Cu/W具备对室内空间辐射源总使用量(TID)自然环境的屏蔽掉功效,由于要得到一样的屏蔽掉功效,应用的铝薄厚必须是Cu/W的16倍。铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC),电阻率1.72μΩ·cm,仅次于银。新式的金属封装材料以及运用除开Cu/W及Cu/Mo之外,传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金,他们常有一些不够,无法解决当代封裝的发展趋势。许多密度低、的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。金属基复合材料的基体材料有很多种多样,但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。材料工作人员在这种材料基本上科学研究和开发设计了很多种多样金属基复合材料(MMC),他们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化学物质(如TiAl、NiAl)为基体,以颗粒物、晶须、涤纶短纤维或持续化学纤维为提高体的一种复合材料。
虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题,但铜、铝与芯片、基板严重的热失配,给封装的热设计带来很大困难,影响了它们的广泛使用。1.2 钨、钼Mo的CTE为5.35×10-6K-1,与可伐和Al2O3非常匹配,它的热导率相当高,为138 W(m-K-1),故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起,用在很多中、高功率密度的金属封装中Cu/W和Cu/Mo为了降低Cu的CTE,可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合,得到Cu/W及Cu/Mo金属-金属复合材料。为了减少陶瓷基板上的应力,设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板,分开布线。这些材料具有高的导电、导热性能,同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu/W及Cu/Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整,可以用作封装底座、热沉,还可以用作散热片。+用作封装的底座或散热片时,这种复合材料把热量带到下一级时,并不十分有效,但是在散热方面是极为有效的。这与纤维本身的各向异性有关,纤维取向以及纤维体积分数都会影响复合材料的性能。
不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料,也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料,为适应电子封装发展的要求,国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co,牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近,具有良好的焊接性、加工性,能与硼硅硬玻璃匹配封接,在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸,方便CNC精密加工,接着是粗铣内腔,将内腔以及夹具定位的柱加工好,起到精密加工的固定作用。因而用碳纤维(石墨纤维)增强的铜基复合材料在高功率密度应用领域很有吸引力。与铜复合的材料沿碳纤维长度方向CTE为-0.5×10-6K-1,热导率600-750W(m-1K-1),而垂直于碳纤维长度方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1),比沿纤维长度方向的热导率至少低一个数量级。
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