（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
高铁IGBT测试仪加工
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；
2. 图形化操作界面；1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0。中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测试报告
*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度
*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；
*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；
2、设备尺寸
2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm
2.2 设备总体宽度 ≤600mm
2.3 设备总体高度 ≤500mm
公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良，具有的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的水平。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。
产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。
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