光电探测器的概述
光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏应,所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。光电探测器利用被照射材料由于辐射的关系电导率发生改变的物理特点,它的用途比较广泛,主要应用在军事及国名经济的各个领域上。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自
光电探测器报价
光电探测器的概述
光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏应,所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。光电探测器利用被照射材料由于辐射的关系电导率发生改变的物理特点,它的用途比较广泛,主要应用在军事及国名经济的各个领域上。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时,若这个光电导体为本征半导体材料,且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象,光子作用于光电导材料,形成本征吸收或杂质吸收,产生附加的光生载流子,从而使半导体的电导率发生变化,产生光电导效应。
光电探测器的性能指标介绍
暗电流和噪声
光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流,暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小,是探测器的主要指标之一。暗电流主要包括以下几种:
①耗尽区中边界的少子扩散电流;
②载流子的产生-复合电流,通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷,可以有效减小载流子的产生-复合电流,通常对于高纯度的单晶硅产生-复合电流可以降低到2*1011A/nm2 以下;
③表面泄漏电流,在制造工艺结束时,对芯片表面进行钝化处理,可以将表面漏电流降低到 1011A/nm2量级。当然,暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。光敏电阻被广泛地用于光电自动探测系统、光电跟踪系统、制导、红外光谱系统等。探测器的暗电流与噪声是分不开的,通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声:a暗电流噪声:对于一个光电探测器来讲,可接收的较小光功率是由探测器的暗电流决定的,所以减小探测器的暗电流能提高光接收机的灵敏度;b散粒噪声:当探测器接收入射光时,散粒噪声就产生于光子的产生-复合过程中。由于光生载流子的数量变化规律服从泊松统计分部,所以光生载流子的产生过程存在散粒噪声;c热噪声:由于导体中电子的随机运动会产生导体两端电压的波动,因此就会产生热噪声。光电探测器的电路模型中包含的电阻为其热噪声的主要来源。
光电探测器的应用
光电探测器光电探测器是一类将外界电磁辐射信号转化为电信号输出的半导体器件。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制(如照相自动曝光)中得到采用。在可见光或近红外波段主要应用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要应用于红外成像、红外遥感等方面。近年来,由于具有可以在轻质柔性衬底上通过低成本高产量的生产技术制备的潜力,聚合物光电探测器备受关注。窄带隙共轭聚合物具有广阔吸收光谱以及宽响应等特性,使得基于这些聚合物的探测器具有连续宽频带的工作范围,这一特征可以克服基于无机材料的多种探测器联合使用的操作复杂性问题。
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