传统金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。与铜复合的材料
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传统金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。与铜复合的材料沿碳纤维长度方向CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纤维长度方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方向的热导率至少低一个数量级。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；
金属表面处理此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。金属封装外壳压铸的原则就是不浪费，节省时间和成本，但是不利于后期的阳极氧化工艺，还可能留下沙孔流痕等等影响质量和外观的小问题，当然，厂商们都有一个良品率的概念，靠谱的厂商是不会让这些次品流入到后面的生产环节中去的。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。
铸造的金属表面处理工艺：铸造工艺和整个塑料制品是非常相似的生产过程中，使用精密模具，但塑料材料成熔融金属进行处理;和铸造CNC接合工艺;数密度，金属基质复合材料适用于航空航天用。有金属基质复合体的许多基材，但作为用于封装热匹配的复合材料主要是Cu基体和陈基复合但密度也铜/ W具有空间中的总辐射剂量（TID）环境良好的屏蔽效果以获得相同的屏蔽效果，铝的厚度用于需要是16倍的Cu / W的。新材料和除了Cu / W和Cu /钼等金属的包装应用中，传统的包装材料是单一金属或金属合金，它们具有一些不足之处，它是难以应付现代包装的发展。为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。
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