光电探测器工作原理
光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。新一代光电探测技术及其智能化，将使相关获得更长的作用距离，更强的单目标/多目标探测和识别能力，从而实现更准确的打击和反应，在伤亡的情况下取得的主动权。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子
光电探测器报价
光电探测器工作原理
光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。新一代光电探测技术及其智能化，将使相关获得更长的作用距离，更强的单目标/多目标探测和识别能力，从而实现更准确的打击和反应，在伤亡的情况下取得的主动权。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eg
当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。在可见光波段和大气透过的几个窗口，即近红外、中红外和远红外波段，都有适用的光敏电阻。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。
光电探测器
光电探测器光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于制导、红外热成像、红外遥感等方面。但是，与光子探测器相比，这些光电探测器的探测率仍较低，时间常数也较大。光电探测器用途很广，主要用于专门用于肉类、菌类、糖果、饮料、粮食、果蔬、乳制品、水产品、、添加剂和调味品等食品中的铁金属以及非铁金属杂质的检测。
红外光电探测器的发展
20世纪，红外光电探测器首先受到军事部门的关注，它实现了黑暗中的目标探测、保密通讯等。
的红外光电探测器采用点源探测技术，该方法将目标看作一个热点源，以此来探测、锁定并目标。由于获得的特征信息量十分有限，且非常容易受到各类红外、激光等干扰，因此单元探测基本不具备目标识别的能力。光电探测器光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。随着计算机技术、光电子技术等发展，光电对抗越来越强烈，简单的点源式探测技术面临重大挑战，逐渐发展为多元探测技术，可以获取较丰富的目标信息。
20世纪80年代研发的多元红外光电探测器面阵凝视成像系统探测元数量达到103～106量级，可以直接置于红外物镜的焦平面上，实现所谓的大角度“凝视”，电子脉冲代替了光学机械扫描体制。光电探测器的发展历史由来已久，早在一百八十多年前，人们就已经发明了热电偶。系统灵敏度可提高两个量级且可同时处理多个目标，体积缩小、重量减轻、响应更快、可靠性提高，在军事上有更突出的适用性。
目前，红外光电探测器正朝着中波红外、长波红外双波段甚至多波段方向发展。红外光电探测器将具备像素更高、帧速率更快、热分辨率更强、多色化和智能化等特征。
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