航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对
地铁IGBT测试仪批发
航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对
现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新
型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，
以确保出厂产品的稳定性、可靠性。
优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。
3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集电极电压VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01～50mA
集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V；
500～5000V±1.5%±2V；
集电极电流ICES：
0.001～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～150mA±1%±0.1mA；
*
3.8 VCE(sat)
饱和导通压降 0.001～10V
集电极电流ICE：
0-1600A 集电极电压VCEs：
0.001～10V±0.5%±0.001V
栅极电压Vge：
5～40V±1%±0.01V
集电极电流ICE：
0～100A±1%±1A；
100～1600A±2%±2A；
*
3.9 Iges
栅极漏电流 0.01～10μA
栅极漏电流IGEs：
0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：
±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
Vce=0V；
* 3.10 VF
正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf：
0.1～5V±1%±0.01V
电流IF：
0～100A±2%±1A；半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。
100～1600A±1.5%±2A；
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路
通态压降测试电路
高压充电电源：10~1500V连续可调
支撑电容：额定电压2kV
饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V
栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V
集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A
测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路
栅极漏电流测试电路
可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；
小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA
1V -30V～30VQg栅极电荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
脉冲时间：40~100ms可设定
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