什么是电光调制器
电光调制器是利用某些电光晶体，如铌酸锂晶体(LiNb03)、稼晶体(GaAs)和钽酸锂晶体(LiTa03)的电光效应制成的调制器。电光效应即当把电压加到电光晶体上时，电光晶体的折射率将发生变化，结果引起通过该晶体的光波特性的变化，实现对光信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制。电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系
电光调制器报价
什么是电光调制器
电光调制器是利用某些电光晶体，如铌酸锂晶体(LiNb03)、稼晶体(GaAs)和钽酸锂晶体(LiTa03)的电光效应制成的调制器。电光效应即当把电压加到电光晶体上时，电光晶体的折射率将发生变化，结果引起通过该晶体的光波特性的变化，实现对光信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制。电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。目前使用较多的电光调制器是铌酸锂电光调制器，由于其对输入光的偏振态比较敏感，要使调制器的调制效果达到较佳，即输出光功率大，须使输入光的偏振方向始终与EOM内部可传播模式偏振方向保持一致。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向
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电光调制器的原理
电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。电光调制器(EOM)电光调制器(EOM)是激光外调制中为有效的器件，广泛应用于高速光纤通信和分布式光纤传感系统中。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向。
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电光调制器
铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，相干通信系统中的相移，ROF系统中边带的产生以及减小模拟光纤通信系统中的受激布理渊散射(SBS)等领域。
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