光刻胶概况
以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！
光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛
高温光刻胶公司
光刻胶概况
以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！
光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。
光刻胶相关信息
赛米莱德——光刻胶供应商，我们为您带来以下信息。
光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。光刻胶产业链覆盖范围非常广，上游为基础化工材料行业、精细化学品行业，中游为光刻胶制备，下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。由于上游产品直接影响下游企业的产量，下业企业对公司产品的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，进入壁垒较高。
在下游半导体、LCD、PCB等行业需求持续扩大的拉动下，光刻胶市场将持续扩大。2018年光刻胶市场规模为85亿美元，2014-2018年复合增速约5%。据IHS，未来光刻胶复合增速有望维持5%。按照下游应用来看，目前半导体光刻胶占比24.1%，LCD 光刻胶占比26.6%，PCB 光刻胶占比24.5%，其他类光刻胶占比24.8%。
光刻胶定义
以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。
光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。
光刻胶分类介绍
根据化学反应机理和显影原理的不同，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶，但经曝光后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经曝光后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、性强，是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶曝光光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同等级的光刻胶化学品。
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