压力传感器
压力变送器主要技术指标测量范围:-100KPa~60MPa精度等级:0.1级、0.2级、0.5级环境温度:-40~70℃介质温度:-40~125℃(温度补偿-20~80℃)长期稳定性:优于0.1%F.S/年工作电压:12.5~36VDC -AC220v输出信号:4-20mA(二线制)0/1-5VDC(三线制)量程迁移:可做标准量程10:1的迁移震动影响:任意轴
扩散硅压力传感器生产厂家
压力传感器
压力变送器主要技术指标测量范围:-100KPa~60MPa精度等级:0.1级、0.2级、0.5级环境温度:-40~70℃介质温度:-40~125℃(温度补偿-20~80℃)长期稳定性:优于0.1%F.S/年工作电压:12.5~36VDC -AC220v输出信号:4-20mA(二线制)0/1-5VDC(三线制)量程迁移:可做标准量程10:1的迁移震动影响:任意轴上,200Hz/g为0.01%F.S变送器防护等级:IP65防 爆:iaⅡCT4,本质安全型关联设备:LB802材 料:外壳为模压铸铝膜片为96%氧化铝陶瓷过程连接件为316L不锈钢密封圈:丁晴橡胶、硅橡胶、氟橡胶·精度等级:0.25级基本误差±0.25%·非线性误差:0.3级≤±0.3%FS·滞后误差:≤±0.3%FS
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传感器工作原理
工作原理:被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。应 用:器械(仪器、呼吸机)测量仪器及实验设备工业控制及设备检测能源及动力设备汽车设备、配件及制造行业航空、航天、航海及军事领域
扩散硅传感器的工作原理
扩散硅式压力变送器的传感器部分是压阻式压力传感器,它是基于半导体的压阻效应,将单晶硅膜片和电阻条采用集成电路工艺结合在一起,构成硅压阻芯片,然后将芯片封接在传感器的外壳内,连接出电极引线而制成。
当被测介质的压力作用于传感器的膜片(多为不锈钢)上时,膜片产生与扩散硅无腔压力传感器介质压力成正比的微位移,使传感器内部的电阻条阻值产生变化。传感器电路得到恒流激励后会将这一变化转换成与这一压力对应的标准测量信号(毫伏信号)。
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扩散硅压力传感器工作原理
扩散硅压力传感器的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。
星仪传感器本着多年扩散硅压力传感器行业经验,专注扩散硅压力传感器研发定制与生产,的扩散硅压力传感器生产设备和技术,建立了严格的产品生产体系,想要更多的了解,欢迎咨询图片上的热线电话!!!
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