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深圳220kv超高压电缆欢迎来电

带电测试外护套的接地电流:用钳形电流表测试,单回路敷设电缆线路,一般不大于电缆负荷的10%;多回路敷设电缆线路,应注意外护套接地电流的变化趋势,如有异常变化,应查明原因。发现问题应上报设备部和试研院。 相关专题 ________________________________________ 电力电缆及电缆附件基本知识 高压单芯电缆护层过电压保护原理、接
深圳220kv超高压电缆







带电测试外护套的接地电流:用钳形电流表测试,单回路敷设电缆线路,一般不大于电缆负荷的10%;多回路敷设电缆线路,应注意外护套接地电流的变化趋势,如有异常变化,应查明原因。发现问题应上报设备部和试研院。

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直埋敷设工程

1.1直埋电缆沟槽开挖

工艺标准

通过收资,了解电缆所经地区的管线或障碍物的情况,并在适当位置进行样沟的开挖,开挖深度应大于电缆埋设深度。

按电缆路径开挖沟槽,应满足以下要求:

自地面至电缆上面外皮的距离,不小于0.7m,35kV及以上为1m。

穿越道路和农地时分别为1m和1.2m。

穿越城市交通道路和铁路路轨时,应满足设计规范要求并采取保护措施。

在寒冷地区施工,开挖深度还应满足电缆敷设于冻土层之下,或采取穿管等特殊措施。





有并行回流线,回流线与电源中性线接地的地网未连通:

有并行回流线,回流线与电源中性线接地的地网连通:

式中:

D——地中电流穿透深度,D=93.18

data-brushtype=text' data-s="300,640"

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data-src="http://mmbiz.qpic.cn/mmbiz/LBib9j7MnpFfOffzKrjzjiccRH5icBzkwX0xW5erHcWhur4tVMLfRjKeYR7vG8zAGs0K7gWuiafHUwkv63ygiap2cNw/0一般每隔20米左右放置一台电缆输送机,每隔3~4米放置1个滑车。wx_fmt=jpeg"

data-ratio=0.95 data-w=20 class="" data-fail=0 v:shapes="_x0000_i1025">

,f=50Hz,m ,ρ为突然电阻率(Ω·m);

R——金属层单点接地处的接地电阻,Ω ;

Rp和R1、R2——回流线电阻(单位:Ω/km)及其两端的接地电阻(单位:Ω);

Rg——大地的漏电电阻电阻,Ω/km,Rg=0.0493Ω/km;

rp和rs——回流线导体、电缆金属层的平均半径,m ;

s——回流线至相邻蕞近一相电缆的距离,m



Ik——短路电流,kA ;

l——电缆线路计算长度,km;

ω=2πf

通过以上计算,外护套鳡应电压满足下表要求,可以不加回流线,否则增加回流线使其满足下表要求:


R'——单位长度电缆导体在θ℃温度下的直流电阻;

A——导体截面积,如导体右n根相同直径d的导线扭合而成,A=nπd2/4;

ρ20——导体在温度为20℃时的电阻率,对于标准软铜 ρ20=0.017241Ωmm2/m:对于标准硬铝:ρ20=0.02864Ωmm2/m;

α——导体电阻的温度系数(1/℃);对于标准软铜:=0.00393℃-1;对于标准硬铝:=0.00403℃-1;

k1——单根导线加工过程引起金属电阻率的增加所引入的系数。一般为1.02-1.07(线径越小,系数越大);具体可见《电线电缆手册》表3-2-2;

k2——用多根导线绞合而成的线芯,使单根导线长度增加所引入的系数。对于实心线芯,=1;对于固定敷设电缆紧压多根导线绞合线芯结构,=1.02(200mm2以下)~1.03(240mm2以上)

k3——紧压线芯因紧压过程使导线发硬、电阻率增加所引入的系数(约1.01);

k4——因成缆绞合增长线芯长度所引入系数,对于多芯电缆及单芯分割导线结构,(约1.01);]

k5——因考虑导线允许公差所引入系数,对于紧压结构,约1.01;对于非紧压型, k5=[d/(d-e)]2(d为导体直径,e为公差)。

20℃导体直流电阻详见下表(点击放大):

以上摘录于《10(6)kV~500kV电缆技术标准》(Q∕GDW 371-2009 )。

2.2 导体的交流电阻

在交流电压下,线芯电阻将由于集肤效应、邻近效应而增大,这种情况下的电阻称为有效电阻或交流电阻。

电缆线芯的有效电阻,国内一般均采用IEC-287推荐的公式 :

R=R′(1+YS+YP)


R——蕞高工作温度下交流有效电阻,Ω/m;

R′——蕞高工作温度下直流电阻,Ω/m;

YS——集肤效应系数,YS=XS4/(192+0.8XS4),

XS4=(8πf/R′×10-7kS)2;

YP——邻近效应系数,YP=XP4/(192+0.8XP4)(Dc/S)2{0.312(Dc/S)2+1.18/[XP4/(192+0.8XP4)+0.27]},XP4=(8πf/R′×10-7kP)2。

XS4——集肤效应中频率与导体结构影响作用;

XP4——邻近效应中导体相互间产生的交变磁场影响作用;

f——频率;

Dc——线芯直径,m;

S——线芯中心轴间距离,m;

ks——线芯结构常数,分割导体ks=0.435,其他导体ks=1.0;







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