刻蚀过程
普通的刻蚀过程大致如下:先在表面涂敷一层光致抗蚀剂,然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性曝光,由于抗蚀剂层的已曝光部分和未曝光部分在显影液中溶解速度不同,经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形,以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层,则选择腐蚀以后,图形就转移到介质或金属层上。
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聚焦离子束刻蚀机厂家
刻蚀过程
普通的刻蚀过程大致如下:先在表面涂敷一层光致抗蚀剂,然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性曝光,由于抗蚀剂层的已曝光部分和未曝光部分在显影液中溶解速度不同,经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形,以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层,则选择腐蚀以后,图形就转移到介质或金属层上。
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刻蚀工艺过程
以下内容由创世威纳为您提供,今天我们来分享刻蚀工艺过程的相关内容,希望对同行业的朋友有所帮助!
等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离: 气体由等离子体分离为可化学反应的元素; 扩散: 这些元素扩散并吸附到硅片表面; 表面扩散:到达表面后, 四处移动; 反应: 与硅片表面的膜发生反应; 解吸: 反应的生成物解吸, 离开硅片表面; 排放: 排放出反应腔。
离子束刻蚀机的工作原理
通入工作气体ya气,气压10-2- 10-Torr之间,阴极放1射出的电子向阳极运动,在运动过程中,电子将工作气体分子电离,在样品室内产生辉光放电形成等离子体。其中电子在损失能量后到达阳极形成阳极电流,而ya离子由多孔栅极引出,在速系统作用下,形成一个的、束流密度均匀的离子束。为减少束中空间电荷静电斥力的影响,减少正离子轰击基片时,造成正电荷堆积,离子束离开加速电极后,被中和器发出的电子中和,使正离子束变成中性束,打到基片上,进行刻蚀。
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