光掩膜是刻有微电路的版，由表面纯平并带有一层铬的石英板或玻璃板制作而成，蚀刻后的残留铬部分即为设计的微电图。这种制版方式在掩膜行业称为光透。
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻袭工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套（几块zhidao多至十几块）相互间能套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。
光刻板
光掩膜是刻有微电路的版，由表面纯平并带有一层铬的石英板或玻璃板制作而成，蚀刻后的残留铬部分即为设计的微电图。这种制版方式在掩膜行业称为光透。
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻袭工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套（几块zhidao多至十几块）相互间能套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。
光刻工艺
是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。原位芯片目前掌握电子束光刻，步进式光刻，接触式光刻等多种光刻技术.
光学掩模板在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。掩膜版应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版，如IC（Integrated Circuit，集成电路）、FPD（Flat Panel Display，平板显示器）、PCB（Printed Circuit Boards，印刷电路板）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统）等。光罩是光刻工艺中的一个重要环节，光刻版必须非常洁净，所有硅片上的电路元件都来自版图。
光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。
1） 绘制生成设备可以识别的掩膜版版图文件（GDS格式）2） 使用无掩模光刻机读取版图文件，对带胶的空白掩膜版进行非接触式曝光（曝光波长405nm），照射掩膜版上所需图形区域，使该区域的光刻胶（通常为正胶）发生光化学反应3） 经过显影、定影后，曝光区域的光刻胶溶解脱落，暴露出下面的铬层4） 使用铬刻蚀液进行湿法刻蚀，将暴露出的铬层刻蚀掉形成透光区域，而受光刻胶保护的铬层不会被刻蚀，形成不透光区域。这样便在掩膜版上形成透光率不同的平面图形结构。什么是光刻掩模板在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，称为光刻掩模版。5） 在有必要的情况下，使用湿法或干法方式去除掩膜版上的光刻胶层，并对掩膜版进行清洗。
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