技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。抛光情况：单抛或双抛 （&
铝酸镧晶体单晶衬底
技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。抛光情况：单抛或双抛 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。LaAlO3晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料,在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光,制成5×10mm2的LaAlO3晶片,晶向为[001]。
由于大尺寸 LaAlo3晶体生长后热应力和后期切割、研磨所产生的机械应力较大,加上晶棒的颜色较深。因此要消除上述因素,必须对晶体进行退火处理。合瑞达是现有铝酸镧单晶非常丰富的生长厂家，每月能生产10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片，能满足市场上的各种需求。合瑞达是现有铝酸镧单晶非常丰富的生长厂家，每月能生产10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片，能满足市场上的各种需求。
铝酸镧（LaAlO3）晶体由于与超导、铁电、锰氧化物巨磁电阻等材料具有良好的晶格匹配性能,且界面层中原子不易和其他材料发生界面反应而被广泛地用作生长外延薄膜的衬底材料。铝酸镧（LaAlO3）具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的zui佳替代材料。
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