脉冲激光沉积系统配置介绍
想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如
脉冲激光沉积设备报价
脉冲激光沉积系统配置介绍
想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。
脉冲激光沉积原理
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，今天我们来分享脉冲激光沉积的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助。想要更多的了解，欢迎咨询图片上的热线电话或关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站！
脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。
脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，从而形成薄膜的一种方式。 在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物膜等。
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售脉冲激光沉积系统，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以质量求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。
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