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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不破坏。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，
常年回收废旧耐火砖价格
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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品
性能
氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不破坏。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。
氮化硅结合碳化硅制品介绍
氮化硅结合碳化硅制品：
氮化硅结合碳化硅材料是一种耐火材料，主要产品有氮化硅结合碳化硅辐射管、氮化硅结合碳化硅砖等。 被广泛应用于钢铁、有色金属、化工建材等多种行业，具有节能、环保、耐高温、耐腐蚀等诸多优点。
氮化硅制品在窑炉中用过以后，也会出现氧化现象，有些氮化硅砖氧化以后会和碳化硅砖一样，氮化硅氧化变成碳化硅，呈现黑色的碳化硅颗粒，如果氧化的严重的情况下，氮化硅的体积会出现疏松，碳化硅含量下降，体积密度降低，耐压强度也会大大降低。
此外，氮化硅还能应用到太阳能电池中。用PECVD法镀氮化硅膜后，不但能作为减反射膜可减小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入氮化硅薄膜以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。这里的氮化硅氮硅原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。
废旧氮化硅砖主要用于耐火材料行业
由于氮化硅与碳化硅、氧化铝、二氧化钍、氮化硼等能形成很强的结合，所以可用作结合材料，以不同配比进行改性。
此外，氮化硅还能应用到太阳能电池中。用PECVD法镀氮化硅膜后，不但能作为减反射膜可减小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入氮化硅薄膜以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。这里的氮化硅氮硅原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。
我们回收的废旧氮化硅砖主要用于耐火材料行业，耐火材料行业属于基础工业，是钢铁、有色金属都离不开的行业，贯穿整个工业链，所以耐火材料行业对碳化硅和氮化硅的需求量非常大。
氮化硅是耐火材料行业用量较大的原材料，由于氮化硅的耐高温性能和抗侵蚀性能都较好，所以氮化硅是生产高炉无水炮泥、铁钩浇注料、耐腐蚀氮化硅陶瓷的原材料。
性能
氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不破坏。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。由于氮化硅与碳化硅、氧化铝、二氧化钍、氮化硼等能形成很强的结合，所以可用作结合材料，以不同配比进行改性。
制取原料
制造氮化硅砖的主要原料是烧结镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯度要尽可能高，铬铁矿化学成分的要求为：Cr2O330～45%，CaO不大于1.0～1.5%。
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