测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制
新能源汽车IGBT测试仪现货供应
测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。
IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。
如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。
何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。工作湿度 9）尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
9、系统保护功能
9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能切断高压电源。
9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。
9.3 系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。
9.4 操作系统带有多级权限。
9.5 系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。
10、样品夹具
10.1 有通用测试夹具。
10.2 带有62mm封装测试夹具
10.3 带有EconoPACK3封装测试夹具
10.4 带有34mm封装测试夹具
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