因为LaAlO3单晶在微波渡段具有低的介电数和介电损耗,且对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,所以是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜的极1好衬底材料,长期以来是作为一种衬底材料进行研究。铝酸镧晶体作为一种超导细膜外延生长zui通用的基底,zui近引
铝酸镧晶体厂家
因为LaAlO3单晶在微波渡段具有低的介电数和介电损耗,且对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,所以是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜的极1好衬底材料,长期以来是作为一种衬底材料进行研究。铝酸镧晶体作为一种超导细膜外延生长zui通用的基底,zui近引起了人们的兴趣。该晶体具有钙铁矿型结构.在温度大约为800K时,该结构经历了一个从立方到三角的相变，对于晶体中的顺磁离子,相变会引起一些能级的分裂,并发生ERPg因子从各向同性到各向异性的转变。
铝酸镧（LaAlO3）晶体室温为三角相,空间群为R3c,属反铁电体;在高温560°以上为立方相,空间群为Pm3m,属钙钛矿型结构。
铝酸镧（LaAlO3）由于与超导、铁电、锰氧化物巨磁电阻等材料具有良好的晶格匹配性能,且界面层中原子不易和其他材料发生界面反应而被广泛地用作生长外延薄膜的衬底材料。
LaAlO3晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料,在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光,制成5×10mm2的LaAlO3晶片,晶向为[001]。LaAlO3单晶的应用,取决于大尺寸LaAlO3晶体生长。
铝酸镧（LaAlO3）具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的zui佳替代材料。铝酸镧（LaAlO3）晶体介电常数和介电损耗随测量频率的变化，在1kHz~500MHz的频率范围内,测量温度为20°C,随频率的增加介电常数略有降低，介电损耗在整个测量频率范围内小于1ˇ10-3,说明LaAlO3晶体的高频性能较好。
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