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封装用IGBT测试仪价格规格尺寸「多图」

用于安装固定试验回路及单元;主要技术参数要求如下;风冷系统;可显示主要电气回路参数及传感器测量值;可直观监视试验过程,并可兼容高温摄像头;防护等级:IP40。面板按钮可以进行紧急操作机柜颜色:RAL703517)压接夹具及其配套系统工作压力范围:5~200kN;分辨率0.1kN上下极板不平行度小于20μm极板平整度小于10μm压力可连续调节,施加压力平稳,不可出现加压时压力过冲
封装用IGBT测试仪价格

用于安装固定试验回路及单元;主要技术参数要求如下;

风冷系统;

可显示主要电气回路参数及传感器测量值;

可直观监视试验过程,并可兼容高温摄像头;

防护等级:IP40。

面板按钮可以进行紧急操作

机柜颜色:RAL7035

17)压接夹具及其配套系统

工作压力范围:5~200kN;分辨率0.1kN

上下极板不平行度小于20μm

极板平整度小于10μm

压力可连续调节,施加压力平稳,不可出现加压时压力过冲

安全技术要求:满足GB 19517—2009电气设备安全技术规范;

测试工作电压:10kV(整体设备满足GB 19517—2009标准外,局部绝缘电压应满足测试需求)

18)其他辅件



2.2反向恢复技术条件 测试参数: 1、Irr(反向恢复电流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢复电荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0.1 uC 50~200uC±5%±1 uC 200~1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢复时间):20~2000ns 20~100±5%±1ns 100~500±5%±2ns 500~2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ 0.5~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~200mJ±5%±1mJ 200~1000mJ±5%±2mJ 测试条件: 1、正向电流IFM:50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围:200~10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围:100~10000V/us



13)被测器件旁路开关 被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。 电流能力 DC 50A 隔离耐压 15kV 且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。响应时间 150ms 工作方式 气动控制 工作气压 0.4MPa 工作温度 室温~40℃ 工作湿度 <70% 14)工控机及操作系统 用于控制及数据处理,采用定制化系统,主要技术参数要求如下: 机箱:4Μ 15槽上架式机箱; 支持ATX母板; CPΜ:INTEL双核; 主板:研华SIMB; 硬盘:1TB;内存4G; 3个5.25”和1个3.5”外部驱动器; 集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 西门子PLC逻辑控制



IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1)阈值电压测试电路 阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路) 满足表格9测试参数要求 低压开关电源要求:Vcc=12V (针对上图电路) 可调电源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V 集电极电流测试电路精度:10~50mA±1%±0.5mA; 50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;1000~2000mA±1%±5mA; 2)集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 高压充电电源:10~2kV连续可调 支撑电容:额定电压2kV 集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;5包装、标志和运输 卖方负责整套设备的包装和运输,并负担由此产生的费用。30~300mA±1%±0.1mA 集电极电压VCES:200~1500V±2%±1V





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