下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心
NR9 1500PY光刻胶公司
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它光刻胶的需求量将增加
光刻胶国内的研发起步较晚
光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。五、曝光在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。
在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。
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光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。从对准信号上分，主要包括标记的显微图像对准、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。烘干：去除衬底表面的水汽，使其干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH, 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）
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北京赛米莱德贸易有限公司
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