磁控溅射
磁控溅射是物理的气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。磁控溅射通过在
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磁控溅射
磁控溅射是物理的气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
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磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的报道,而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算的探讨具有实际意义。对于静态直冷矩形平面靶,即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶,靶材利用率数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些,但其被刻蚀过程与直冷靶相同,不作专门讨论),且多为估计值。磁控溅射法是在高真空充入适量的Ar,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之间施加几百K直流电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使Ar发生电离。为了提高靶材利用率,研究出来了不同形式的动态靶,其中以旋转磁场圆柱靶工业上被广泛应用,据称这种靶材的利用率可超过70%,但缺少足够数据或理论证明。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型:矩形平面、圆形平面和圆柱管 如何提高利用率是真空磁控溅射镀膜行业的重点,圆柱管靶利用高,但在有些产业是不适用的,如何提高靶材利用,请到此一看的朋友,在下面留下你的见解,提供好的方法。
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磁控溅射镀膜仪用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面,沉积在基片上。
电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与ya原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场,被束缚在靶表面特定区域,增强电离效率,增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射。是制备低维度,小尺寸纳米材料器件的实验手段,广泛应用于集成电路,光子晶体,低维半导体等领域。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。
1、磁控溅射和电阻蒸发双应用。本机采用可磁控溅射与电阻蒸发免拆卸转换结构,可实现蒸发源的转换。
2、桌面小型一体化结构。本机对真空腔体、镀膜电源及控制系统进行整合设计,体积与一台A3 打印机相仿(不包含真空机组,480x320x460mm,宽X 高X 深)

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