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制取原料制造氮化硅砖的主要原料氮化硅是一种结构陶瓷材料。它是一种硬物质，本身具有润滑性，并且损，为原子晶体；而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有特性，人们常常用它来制造轴承、机械密封环等机械构件。
制造氮化硅砖的主要原料是烧结镁砂和铬铁矿。镁砂原
常年回收氮化硅价格
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制取原料制造氮化硅砖的主要原料
氮化硅是一种结构陶瓷材料。它是一种硬物质，本身具有润滑性，并且损，为原子晶体；而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有特性，人们常常用它来制造轴承、机械密封环等机械构件。
制造氮化硅砖的主要原料是烧结镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯度要尽可能高，铬铁矿化学成分的要求为：Cr2O330～45%，CaO不大于1.0～1.5%。
氮化硅结合碳化硅砖是指用SiC和Si为原料，经氮化烧成的耐火制品。其特点是以Si3N4为结合剂。Si3N4以针状或纤维状结晶存在于SiC晶粒之间，是一种重要的新型耐火材料。气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具有良好抗腐蚀能力，1400℃抗折强度达50～55MPa，显气孔率15%。热膨胀系数(4.5～5.0)×10-2℃-1。
氮化硅砖采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取
制取方法
氮化硅砖采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。烧制氮化硅砖的生产工艺与镁质砖大体相仿。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。
优点
氮化硅砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。
应用
用于航空、冶金、机械、半导体等工业中制造高温轴承、冶金坩埚、半导体区域熔炼舟器等。
气压烧结法(GPS)获得很大的进展
气压烧结法（ GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。在氮化硅薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入氮化硅薄膜以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。
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