（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
高铁IGBT测试仪厂家
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
如何执行导通参数与漏电流的量测？
测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：
☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
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