导电橡胶能够提供较高的打印密度。但导电橡胶的导电率是如此之高，以致其不能对色粉充电至较高程度。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。当仅仅将由金属氧化物组成的无机填料(D)作为填料与橡胶组分(A)混合时，导电橡胶能够得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能将色粉充电至较高程度，因此不能提供足够的打印密度。如上所述，在独立地将填料(
银钯靶材厂家
导电橡胶能够提供较高的打印密度。但导电橡胶的导电率是如此之高，以致其不能对色粉充电至较高程度。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。当仅仅将由金属氧化物组成的无机填料(D)作为填料与橡胶组分(A)混合时，导电橡胶能够得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能将色粉充电至较高程度，因此不能提供足够的打印密度。如上所述，在独立地将填料(B)至(D)与橡胶组分(A)混和时，必须大量使用填料。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域，以及这些领域靶材发展的趋势。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。
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