化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic
化学气相沉积设备价格
化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic CVD，MOCVD)，等离子体增强化学气相沉积（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。ICP刻蚀机简介以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。
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化学气相沉积产品概述
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售化学气相沉积，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以质量求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。
1、适用范围：适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。
3、主要用途：主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。
等离子体化学气相沉积原理及特点
原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方，吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击，结合键断裂成为活性粒子，化学反应生成固态膜。1、适用范围：适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。沉积时，基体可加热，亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运，气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有：放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可显著降低反应温度，已用于多种薄膜材料的制备。
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