直流磁控溅射技术
为了解决阴极溅射的缺陷，人们在20世纪开发出了直流磁控溅射技术，它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点，因而获得了迅速发展和广泛应用。其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高
自动磁控溅射镀膜机报价
直流磁控溅射技术
为了解决阴极溅射的缺陷，人们在20世纪开发出了直流磁控溅射技术，它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点，因而获得了迅速发展和广泛应用。其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。特别是透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜，而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，一般仅为20%-30%。
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磁控溅射镀膜机工艺
关键工艺参数的优化
关键工艺参数的优化基于实验探索。实验是在自制的双室直流磁控溅射镀膜设备上进行的。磁控溅射种类用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。该设备的镀膜室采用内腔尺寸为6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形状,抽气系统采用两套K600 扩散泵机组,靶材采用德国Leybold 公司生产的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸为1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。
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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么？
靶zhong毒的影响因素
影响靶zhong毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶zhong毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等异物,并且不含活性离子,必要时还可采用超声清洗。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全zhong毒。
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真空镀膜机的未来发展策略
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1、目前实体经济走势整体疲弱，复苏充满不确定性，经济处于继续探底过程，真空镀膜设备制造企业应着力进行产业结构优化升级，重质量、重服务明确市场定位，大力研发拥有自主知识产权的新产品新工艺，提高产量和服务水平。
2、依托信息化发展趋势，坚持“以信息化带动工业化，以工业化促进信息化”，走出一条科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、人力资源优势得到充分发挥的新型工业化路子。
3、依托支持，大力加强与拥有行业技术和工艺水平的科研院所、大型企业、高校合作，使得新品能迅速推向市场。
真空镀膜技术及设备拥有十分广阔的应用领域和发展前景。未来真空镀膜设备行业等制造业将以信息化融合为重1心，依靠技术进步，更加注重技术能力积累，制造偏向服务型，向世界真空
