密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致
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密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。
非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。材料工作者在这些材料基础上研究和开发了很多种金属基复合材料(MMC)，它们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化合物(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒、晶须、短纤维或连续纤维为增强体的一种复合材料。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。
金属封装外壳的特点及前景
金属外壳的发展前景应用及要求
随着各电子行业的发展需求，金属封装外壳广泛应用于航天、航空、航海、野战、雷达、通讯、等军民用领域。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。目前，微电子领域产品运用的越来越广范，需求的量越来越大，外壳作为集成电路的关键组件之一，主要起着电路支撑、电信号传输、散热、密封及化学防护等作用，在对电路的可靠性影响以及占电路成本的比例方面，外壳均占有重要地位。
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