化学气相沉积工艺是这样一种沉积工艺，被沉积物体和沉积元素（单元或多元）蒸发化合物置于反应室，当高温气流进入反应室时，可控制的反应室可使其发生一种合适的化学反应，导致被沉积物体的表面形成一种膜层，同时将反应产物及多余物从反应室蒸发排除。
镀膜机工艺在防伪技能中的运用防伪膜品种许多，从运用办法可分为反射式和透射式；从膜系附着办法能够分为直接镀膜式、直接镀膜式或直接镀膜剪贴式。
金属镀膜设备
化学气相沉积工艺是这样一种沉积工艺，被沉积物体和沉积元素（单元或多元）蒸发化合物置于反应室，当高温气流进入反应室时，可控制的反应室可使其发生一种合适的化学反应，导致被沉积物体的表面形成一种膜层，同时将反应产物及多余物从反应室蒸发排除。
镀膜机工艺在防伪技能中的运用防伪膜品种许多，从运用办法可分为反射式和透射式；从膜系附着办法能够分为直接镀膜式、直接镀膜式或直接镀膜剪贴式。
在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.PVD大家族里主要有三位成员：真空蒸发沉积技术（蒸镀）；溅射沉积技术；离化PVD技术。
蒸镀是在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。
PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。
金属镀膜设备PCVD技术具有沉积温度低，沉积速率快，绕镀性好，薄膜与基体结合强度好，设备操纵维护简单等优点，用PCVD法调节工艺参数方便灵活，轻易调整和控制薄膜厚度和成份组成结构，沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等膜，同时，PCVD法还拓展了新的低温沉积领域，例如，用PCVD法可将TiN的反应温度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制备纳米陶瓷薄膜的特点是：产品的杨氏模量、抗压强度和硬度都很高，性好，化学性能稳定，性和腐蚀性好，有较高的高温强度。
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