扩散硅压力传感器的温漂是怎么产生的？
温漂：是指受温度影响而引起的零点不稳定。
扩散硅压力传感器的温漂主要来源于两个方面：
一方面是零部件本身的温漂；
第二方面是传感器在膨胀过程中产生的应力，传感器的核心器件是压力芯片，压力芯片本身对温度就比较敏感，会随着温度的变化产生一定的漂移量；另外在封装过程中，传感器需要充灌硅油，以便把力从
扩散硅压力传感器厂家
扩散硅压力传感器的温漂是怎么产生的？
温漂：是指受温度影响而引起的零点不稳定。
扩散硅压力传感器的温漂主要来源于两个方面：
一方面是零部件本身的温漂；
第二方面是传感器在膨胀过程中产生的应力，传感器的核心器件是压力芯片，压力芯片本身对温度就比较敏感，会随着温度的变化产生一定的漂移量；另外在封装过程中，传感器需要充灌硅油，以便把力从压力膜片，传导到压力芯片上，硅油在温度变化中，产生热胀冷缩，从而产生一定的应力，这个应力作用到压力芯片上，造成传感器的漂移；还有就是压力芯片，他是用胶和传感器底座连接在一起的，由于压力芯片和传感器底座是两种不同的材料，膨胀系数不一样，所以在温度变化中两种不同膨胀系数的材料之间也会产生一定的应力，从而产生一定的温漂，这些是扩散硅压力传感器温漂的主要来源。
为在一定程度上减少压力传感器的温漂，技术人员在设计压力传感器的过程中，要尽量减少充油芯体相及的体积，以减少充油的量，在粘接压力芯片的过程中，尽量选用合适的胶，以减少粘结产生的应力，传感器底座材料的选择，要考虑和压力芯片，膨胀系数相近的材料，从而减少温漂的产生。
什么叫扩散硅压力传感器
扩散硅压力传感器工作原理：硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时（一般步于400微应变），其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化（G因子突变）。
用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。
给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的变送器。
扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片zui大位移量在来微米数量级，且无机械磨损，无疲劳，无老化。平均无故障时间长，性能稳定，可靠性高.
扩散硅压力传感器工作原理
扩散硅压力传感器是以单晶硅为基体，采用的离子注入工艺和微机械加工工艺，制成了具有惠斯顿电桥和精密力学结构的硅敏感元件。被测压力通过压力接口作用在硅敏感元件上，实现了所加压力与输出信号的线性转换，经激光修调的厚膜电阻网络补偿了敏感元件的温度性能。
扩散硅压力传感器采用带不锈钢隔离膜的扩散硅压阻式压力传感器作为信号测量元件，信号处理电路位于不锈钢壳体内，传感器信号经过信号调理电路转换成标准4-20mA电流或RS485信号输出。扩散硅压力传感器PT124B-212系列经过了长期老化及稳定性考核等工艺，性能稳定可靠。扩散硅压力传感器广泛地应用于石油、化工、冶金、电力等工业过程现场测量和控制。
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