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3、光电三极度管光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的入射光线。[5]发展前景未来超太阳能电池的发展方向主要有以下几个方面：1、多接面、多能隙、多能带结构，使用不同能隙的材料来吸收不同波长的光子。入射光在基区激发出电子----空穴时，形成基极电流，而集电极电流是基极电流β倍，因此光照便能有效地控制集电极电流。光电三极管比光电二极管有更高的灵敏度。二、光伏打器
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3、光电三极度管光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的入射光线。[5]发展前景未来超太阳能电池的发展方向主要有以下几个方面：1、多接面、多能隙、多能带结构，使用不同能隙的材料来吸收不同波长的光子。入射光在基区激发出电子----空穴时，形成基极电流，而集电极电流是基极电流β倍，因此光照便能有效地控制集电极电流。光电三极管比光电二极管有更高的灵敏度。二、光伏打器件----硅光电池半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应，叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。

























光电控制器件----用作光电开关等光电控制设备的转换器件。3、光电三极度管光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的入射光线。三、半导体发光器件半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1、发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。PN结加上正向电压时,电子由N区渡越(扩散)到空间电荷区与空穴复合而释放出能量。这些能量大部分以发光的形式出现，因此，可以直接将电能转换成光能。



















常用的光电效应转换器件有光敏电阻、光电倍增器、光电池、PIN管、CCD等。光电倍增器是把微弱的输入转换为电子，并使电子获得倍增的电真空器件。光电倍增器是把微弱的输入转换为电子，并使电子获得倍增的电真空器件。当光信号强度发生变化时，阴极发射的光电子数目相应变化，由于各倍增极的倍增因子基本上保持常数，所以阳极电流亦随光信号的变化而变化，此即光电倍增管的简单工作过程。由此可见，光电倍增管的性能主要由光阴极、倍增极及极间电压决定。光电阴极受强光照射后，由于发射电子的速率很高，光电阴极内部来不及重新补充电子，因此使光电倍增管的灵敏度下降。




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