真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
真空镀膜机工作的环境要求：
真空镀膜设备要在真空条件下工作，因此该设备要满足真空对环境的要求。真空对环境的要求，一般包括真空设备对所处实验室（或车间）的温度、空气中的微粒等周围环境
纳米镀膜设备
真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
真空镀膜机工作的环境要求：
真空镀膜设备要在真空条件下工作，因此该设备要满足真空对环境的要求。真空对环境的要求，一般包括真空设备对所处实验室（或车间）的温度、空气中的微粒等周围环境的要求，和对处于真空状态或真空中的零件或表面要求两个方面。
气相沉积主要分为两大类：
化学气相沉积(，简称CVD)；
物理气相沉积(，简称PVD)。
，人们利用易挥发的液体TiCI稍加热获得TiCI气体和NH气体一起导入高温反应室，让这些反应气体分解，再在高温固体表面上进行遵循热力学原理的化学反应，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉积在固体表面上成硬质固相薄膜。人们把这种通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程，称为化学气相沉积(，CVD)。
（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
“辅助”CVD的工艺较多，主要有：
① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。
② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。
③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。
④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。
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