精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。在贵金属深加工产品这一领域,如何来提升贵金属产品的技术含量和档次,贵金属纳米技术、纳米材料的科学研究,实践应用是这个产业向产业化发展的方向,成为当代关注和竞争的
贵金属复合材料加工技术
精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。在贵金属深加工产品这一领域,如何来提升贵金属产品的技术含量和档次,贵金属纳米技术、纳米材料的科学研究,实践应用是这个产业向产业化发展的方向,成为当代关注和竞争的主要课题。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
超纯金属的检测方法极为困难。至于形成精细分配的色粉颗粒的技术,近已经开发出直径不超过10nm的色粉和不超过5pm的色粉。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级(10克/克)、毫微克级(10克/克)、微微克级(10克/克)杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析,原子吸收光谱分析,荧光分光光度分析,质谱分析,化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中,晶体缺陷对材料性能起显著影响,称为物理杂质,主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。

陶瓷靶材
ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶,、二氧化铪靶,二硼化钛靶,二硼化锆靶,三氧化钨靶,三氧化二铝靶五氧化二钽,五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化钛靶,碳化硅靶,铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。材料的纯度对其性能,特别是微电子学、光电子学性能影响很大,现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
绑定的适用范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。
建议绑定的靶材:
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材;
锡、铟等软金属靶;
靶材太薄、靶材太贵的情况等。
但下列情况绑定有弊端:
1.熔点低的靶材,像铟、硒等,金属化的时候可能会变软变形;
2.贵金属靶材,一是实际重量易出现分歧,二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料,建议垫一片铜片。

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