测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟
大功率IGBT测试仪价格
测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。
IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。
3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集电极电压VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01～50mA
集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V；优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。
500～5000V±1.5%±2V；
集电极电流ICES：
0.001～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～150mA±1%±0.1mA；
*
3.8 VCE(sat)
饱和导通压降 0.001～10V
集电极电流ICE：
0-1600A 集电极电压VCEs：
0.001～10V±0.5%±0.001V
栅极电压Vge：
5～40V±1%±0.01V
集电极电流ICE：
0～100A±1%±1A；
100～1600A±2%±2A；
*
3.9 Iges
栅极漏电流 0.01～10μA
栅极漏电流IGEs：
0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：
±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
Vce=0V；
* 3.10 VF
正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf：
0.1～5V±1%±0.01V
电流IF：
0～100A±2%±1A；
100～1600A±1.5%±2A；
目的和用途
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。
1.2 测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2.测试参数及指标
2.1开关时间测试单元技术条件
开通时间测试参数：
1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns
2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns
3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns
4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS
6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
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