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负性光刻胶报价满意的选择

光刻胶的应用 以下内容由赛米莱德为您提供,希望对同行业的朋友有所帮助。 模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfl
负性光刻胶报价






光刻胶的应用

以下内容由赛米莱德为您提供,希望对同行业的朋友有所帮助。

模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封装(Packaging)




光刻胶主要用于图形化工

以半导体行业为例,光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的核心工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。

一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤,分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移,流程一般分为十步:1.表面准备,2.涂胶,3.软烘焙,4.对准和曝光,5.显影,6.硬烘焙,7.显影检查,8.刻蚀,9.去除光刻胶,10.终检查。

具体来说,在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗,主要采用相关的湿化学品,包括氨水等。

晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行精准对准以后,光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现曝光,这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿化学品。

对曝光以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后,实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。在光刻胶的保护下,对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查,实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。

目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀,主要用到含氟和含体。

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光刻胶介绍

光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。

从技术水平来看,在PCB领域,国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力,已经实现对主流厂商大批量供货。

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光刻胶:半导体技术壁垒较高的材料之一

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显影后,被曝光的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。

以上就是为大家介绍的全部内容,希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识,欢迎拨打图片上的热线联系我们。






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