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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品
性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的耐火保温材料产品。相对密度3.19g/cm3。热膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。耐热性好，1200～2000℃热交换器上一千次不毁坏。热压烧结法（HPS)是将Si3N4粉末和
废旧耐火砖常年回收
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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品
性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的耐火保温材料产品。相对密度3.19g/cm3。热膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。耐热性好，1200～2000℃热交换器上一千次不毁坏。热压烧结法（HPS)是将Si3N4粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3等），在1916MPa以上的压强和1600℃以上的温度进行热压成型烧结。抗折强度可达200~700MPa，耐空气氧化温度1400℃，在复原氛围中可达1870℃。室内温度电阻1.1×1014Ω·m。选用硅粉渗氮后煅烧或压合方式制得。
热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末和少量添加剂(如MgO
热压烧结法（
HPS)
是将Si3N4
粉末状和小量防腐剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3
等），在1916
MPa之上的气体压强和1600
℃之上的温度开展热压成形烧结。烧结时添加剂和物相构成对商品特性有非常大的危害。因为严控位错相的构成，及其在Si3N4
陶瓷烧结后开展适度的热处理工艺，因此能够 得到即便温度达到1300
℃时强度（达到490MPa之上）也不会显著降低的Si3N4系陶瓷材料，并且抗应力松弛性可提升三个量级。若对Si3N4
陶瓷材料开展1400———1500
℃高溫预空气氧化解决，则在陶瓷材料表层上产生Si2N2O相，它能明显提升Si3N4
陶瓷的耐还原性和高溫强度。热压烧结法生产制造的Si3N4
陶瓷的物理性能比反映烧结的Si3N4
要出色，强度高、密度大。但制造成本高、烧结机器设备繁杂，因为烧结体收拢大，使商品的规格精密度遭受一定的限定，无法生产制造繁杂零件，只有生产制造样子简易的零件产品，产品工件的机械加工制造也较艰难。按制备工艺方法来划分可分为烧成砖、不烧砖、电熔砖（熔铸砖）、耐火隔热砖。 
气压烧结法(GPS)获得很大的进展
气压烧结法（ GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。
氮化硅结合碳化硅砖的结构特征
氮化硅结合碳化硅砖是以高纯SiC为骨料，添加硅粉等外加剂，依据原位生成理论，在氮化炉中烧制而成。该产品具有强度高、高温性好、热传导率高、热膨胀系数小、热震稳定性好等优点。 其结构特征是：SiC大颗粒为基质所包围，基质部分由粒状SiC和原位生成的纤维状Si3N4所组成，Si3N4纤维交织成三维空间网络，将SiC小颗粒包围起来，并与SiC大颗粒形成牢固的机械结合。根据要求配以各种结合剂,经高压成型，制品具有良好的热稳定性和较高的导热系数,且耐腐蚀性好,是工业窑炉理想的节能材料，该产品具有高温性好、膨胀系数小、热震稳定性好等特点。适用于气化炉气体出口处，特别要求热震稳定性良好。 本产品用于铝电解槽可减薄工作层，扩大电解槽的容积，具有高的导热性能、性能和抗冰晶石侵蚀性能，对高功率铝电解槽尤为适用。该产品已在焦作万方铝业、贵阳铝业、中孚铝业、包头铝业等多家企业的大型电解槽中使用，并出口力拓加拿大铝业、俄罗斯铝业、巴林铝业等，深得用户好评。热压烧结法生产的Si3N4陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4要优异，强度高、密度大。
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